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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.8W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD3055-150T4
仓库库存编号:
NTD3055-150T4OS-ND
别名:NTD3055-150T4OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223
型号:
NTF3055-160T1
仓库库存编号:
NTF3055-160T1OS-ND
别名:NTF3055-160T1OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 80V 7A(Tc) 23W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N08L
仓库库存编号:
FQPF9N08L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N08L
仓库库存编号:
FQP9N08L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI9N08LTU
仓库库存编号:
FQI9N08LTU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N08LTM
仓库库存编号:
FQB9N08LTM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.8W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-150-1G
仓库库存编号:
NTD3055-150-1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3A(Ta) 40.3W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5031DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5031DPD-00#J2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464
仓库库存编号:
IRF7464-ND
别名:*IRF7464
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TR
仓库库存编号:
IRF7464TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TRPBF
仓库库存编号:
IRF7464PBFCT-ND
别名:*IRF7464TRPBF
IRF7464PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.8A(Tc) 42W(Tc) DPAK
型号:
IRFR220,118
仓库库存编号:
IRFR220,118-ND
别名:934056819118
IRFR220 /T3
IRFR220 /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V,
无铅
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