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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD12NF06LT4
  仓库库存编号：497-2487-1-ND
  别名：497-2487-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD3055LESM9A
  仓库库存编号：RFD3055LESM9ACT-ND
  别名：RFD3055LESM9ACT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR320TRPBF
  仓库库存编号：IRFR320PBFCT-ND
  别名：*IRFR320TRPBF
  IRFR320PBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3525N8-G
  仓库库存编号：DN3525N8-GCT-ND
  别名：DN3525N8-GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4306GTA
  仓库库存编号：ZVN4306GCT-ND
  别名：ZVN4306G
  ZVN4306GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD12NF06L-1
  仓库库存编号：497-6730-5-ND
  别名：497-6730-5
  STD12NF06L-1-ND
  STD12NF06L1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT13N06LTF
  仓库库存编号：FQT13N06LTFCT-ND
  别名：FQT13N06LTFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：CPC3703CTR
  仓库库存编号：CPC3703CCT-ND
  别名：CPC3703CCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120NPBFCT-ND
  别名：*IRFR9120NTRPBF
  IRFR9120NPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9024NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9024NPBFCT-ND
  别名：*IRFR9024NTRPBF
  IRFR9024NPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.67A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4310GTA
  仓库库存编号：ZVN4310GCT-ND
  别名：ZVN4310G
  ZVN4310GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
  
  型号：RFD3055LE
  仓库库存编号：RFD3055LE-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N06LTU
  仓库库存编号：FQU13N06LTU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N06L
  仓库库存编号：FQP13N06L-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N06LTU_WS
  仓库库存编号：FQU13N06LTU_WS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC20PBF
  仓库库存编号：IRFBC20PBF-ND
  别名：*IRFBC20PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9620PBF
  仓库库存编号：IRF9620PBF-ND
  别名：*IRF9620PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 24W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N06L
  仓库库存编号：FQPF13N06L-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4310A
  仓库库存编号：ZVN4310A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.1A（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4306AV
  仓库库存编号：ZVN4306AV-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.1A（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4306A
  仓库库存编号：ZVN4306A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76407D3ST
  仓库库存编号：HUF76407D3STFSCT-ND
  别名：HUF76407D3STFSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9024NPBF
  仓库库存编号：IRFU9024NPBF-ND
  别名：*IRFU9024NPBF
  SP001557756
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z24NPBF
  仓库库存编号：IRF9Z24NPBF-ND
  别名：*IRF9Z24NPBF
  SP001555934
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB1P50TM
  仓库库存编号：FQB1P50TMCT-ND
  别名：FQB1P50TMCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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