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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9520NPBF
仓库库存编号：
IRF9520NPBF-ND
别名：*IRF9520NPBF
Q5233848
SP001554524
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 11A（Tc） 38W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR9024NTRL
仓库库存编号：
AUIRFR9024NTRL-ND
别名：SP001518586
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 6A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF620
仓库库存编号：
497-3135-ND
别名：497-3135
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD5N20T4
仓库库存编号：
497-6563-1-ND
别名：497-6563-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9620
仓库库存编号：
IRF9620-ND
别名：*IRF9620
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC20
仓库库存编号：
IRFBC20-ND
别名：*IRFBC20
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9620S
仓库库存编号：
IRF9620S-ND
别名：*IRF9620S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 320mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFDC20
仓库库存编号：
IRFDC20-ND
别名：*IRFDC20
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC20G
仓库库存编号：
IRFIBC20G-ND
别名：*IRFIBC20G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320
仓库库存编号：
IRFR320-ND
别名：*IRFR320
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TR
仓库库存编号：
IRFR320TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFRC20
仓库库存编号：
IRFRC20-ND
别名：*IRFRC20
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFRC20TR
仓库库存编号：
IRFRC20TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU320
仓库库存编号：
IRFU320-ND
别名：*IRFU320
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20S
仓库库存编号：
IRFBC20S-ND
别名：*IRFBC20S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFUC20
仓库库存编号：
IRFUC20-ND
别名：*IRFUC20
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC20L
仓库库存编号：
IRFBC20L-ND
别名：*IRFBC20L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.5A（Tc） I2PAK
型号：
IRF9620L
仓库库存编号：
IRF9620L-ND
别名：*IRF9620L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9620STRL
仓库库存编号：
IRF9620STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9620STRR
仓库库存编号：
IRF9620STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20STRL
仓库库存编号：
IRFBC20STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20STRR
仓库库存编号：
IRFBC20STRR-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9520N
仓库库存编号：
IRFI9520N-ND
别名：*IRFI9520N
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TRL
仓库库存编号：
IRFR320TRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
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型号：
IRFR320TRR
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IRFR320TRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V,
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