规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD25NF20
仓库库存编号:
497-13749-1-ND
别名:497-13749-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20NF20
仓库库存编号:
497-5811-5-ND
别名:497-5811-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450TRPBF
仓库库存编号:
IRF7450PBFCT-ND
别名:*IRF7450TRPBF
IRF7450PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 89W(Tc) I-Pak
型号:
FDU6N50TU
仓库库存编号:
FDU6N50TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37.7A(Tc) 59.4W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y22-30B,115
仓库库存编号:
1727-4615-1-ND
别名:1727-4615-1
568-5527-1
568-5527-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 89W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7N50
仓库库存编号:
FDP7N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 31.3W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N50U_G
仓库库存编号:
FDPF7N50U_G-ND
别名:FDPF7N50UG
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD20NF20
仓库库存编号:
497-5810-1-ND
别名:497-5810-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NF20
仓库库存编号:
497-5812-5-ND
别名:497-5812-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20N20
仓库库存编号:
497-4373-5-ND
别名:497-4373-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Ta) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20N20
仓库库存编号:
497-4339-5-ND
别名:497-4339-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD20N20T4
仓库库存编号:
497-4330-1-ND
别名:497-4330-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50TF
仓库库存编号:
FDD6N50TFCT-ND
别名:FDD6N50TFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N50U
仓库库存编号:
FDPF7N50U-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N50
仓库库存编号:
FDPF7N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 750mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4800NR2G
仓库库存编号:
NTMS4800NR2G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450
仓库库存编号:
IRF7450-ND
别名:*IRF7450
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450TR
仓库库存编号:
IRF7450TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 25V,
含铅
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