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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS5PF30L
仓库库存编号:
497-3231-1-ND
别名:497-3231-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta),50A(Tc) 115W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD13AN06A0
仓库库存编号:
FDD13AN06A0CT-ND
别名:FDD13AN06A0CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW7NK90Z
仓库库存编号:
497-7624-5-ND
别名:497-7624-5
STW7NK90Z-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N120TRL
仓库库存编号:
IXTA3N120CT-ND
别名:IXTA3N120CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 90W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD16N06LESM9A
仓库库存编号:
RFD16N06LESM9ACT-ND
别名:RFD16N06LESM9ACT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N120
仓库库存编号:
IXTP3N120-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta),50A(Tc) 115W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD13AN06A0_F085CT-ND
别名:FDD13AN06A0_F085CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB6NK90ZT4
仓库库存编号:
497-6555-1-ND
别名:497-6555-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6NK90Z
仓库库存编号:
497-3199-5-ND
别名:497-3199-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A90E,S4X
仓库库存编号:
TK7A90ES4X-ND
别名:TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A80E,S4X
仓库库存编号:
TK6A80ES4X-ND
别名:TK6A80E,S4X(S
TK6A80ES4X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK8A65D(STA4QM)-ND
别名:TK8A65D(Q)
TK8A65D(STA4QM)
TK8A65DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 200W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK7J90E,S1E
仓库库存编号:
TK7J90ES1E-ND
别名:TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP6NK90ZFP
仓库库存编号:
497-12617-5-ND
别名:497-12617-5
STP6NK90ZFP-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号:
STS4DPF20L
仓库库存编号:
497-8042-1-ND
别名:497-8042-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Ta),62A(Tc) 115W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB13AN06A0
仓库库存编号:
FDB13AN06A0CT-ND
别名:FDB13AN06A0CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS4DPF30L
仓库库存编号:
497-3228-1-ND
别名:497-3228-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A60DSTA4QM-ND
别名:TK10A60DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A50D(STA4QM)-ND
别名:TK12A50D(STA4QM)
TK12A50DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A45D(STA4QM)-ND
别名:TK13A45D(STA4QM)
TK13A45DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A53D(STA4QM)-ND
别名:TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A55D(STA4QM)-ND
别名:TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N110
仓库库存编号:
IXTA3N110-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N110
仓库库存编号:
IXTP3N110-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS4DPFS30L
仓库库存编号:
497-4397-1-ND
别名:497-4397-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V,
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