规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
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Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
功率 - 最大值
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(4)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(3)
TO-261-4，TO-261AA(2)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(1)
TO-220-3(1)
SOT-23-6(3)
8-PowerWDFN(6)
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Taiwan Semiconductor Corporation(15)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(4)
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MOSFET（金属氧化物）(16)
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±20V(14)
±16V(2)
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10nC @ 5V(1)
10nC @ 4.5V(1)
30nC @ 10V(1)
14nC @ 4.5V(3)
20nC @ 10V(1)
4nC @ 4.5V(3)
14nC @ 5V(1)
4.1nC @ 4.5V(9)
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90 毫欧 @ 8A，10V(2)
24 毫欧 @ 6A，10V(6)
100 毫欧 @ 4A，10V(1)
100 毫欧 @ 3.5A，10V(1)
20 毫欧 @ 10A，10V(3)
18 毫欧 @ 8A，10V(3)
400 毫欧 @ 1A，10V(1)
18 毫欧 @ 12A，10V(3)
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5V，10V(2)
4.5V，10V(13)
10V，5V(1)
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N 沟道(16)
2 个 N 沟道（双）(4)
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6.5A（Tc）(6)
16A（Tc）(2)
9A（Tc）(3)
3.5A(1)
20A（Tc）(3)
4A（Ta）(1)
25A（Tc）(3)
1.8A（Tc）(1)
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345pF @ 25V(20)
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-(16)
标准(3)
逻辑电平门(1)
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2V @ 250μA(4)
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1V @ 250μA（最小）(1)
3V @ 250μA(2)
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2.5W（Tc）(4)
3W（Ta）(1)
21W（Tc）(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
STB16NF06LT4
仓库库存编号：
497-4322-1-ND
别名：497-4322-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT3055L
仓库库存编号：
NDT3055LCT-ND
别名：NDT3055LCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
STP16NF06L
仓库库存编号：
497-2765-5-ND
别名：497-2765-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9945
仓库库存编号：
NDS9945CT-ND
别名：NDS9945CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
型号：
TSM240N03CX RFG
仓库库存编号：
TSM240N03CX RFGTR-ND
别名：TSM240N03CX RFGTR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
型号：
TSM240N03CX RFG
仓库库存编号：
TSM240N03CX RFGCT-ND
别名：TSM240N03CX RFGCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
型号：
TSM240N03CX RFG
仓库库存编号：
TSM240N03CX RFGDKR-ND
别名：TSM240N03CX RFGDKR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
型号：
TSM240N03CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM240N03CX6 RFGTR-ND
别名：TSM240N03CX6 RFGTR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
型号：
TSM240N03CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM240N03CX6 RFGCT-ND
别名：TSM240N03CX6 RFGCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
型号：
TSM240N03CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM240N03CX6 RFGDKR-ND
别名：TSM240N03CX6 RFGDKR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM180N03CS RLGTR-ND
别名：TSM180N03CS RLGTR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM180N03CS RLGCT-ND
别名：TSM180N03CS RLGCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM180N03CS RLGDKR-ND
别名：TSM180N03CS RLGDKR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM180N03PQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM180N03PQ33 RGGTR-ND
别名：TSM180N03PQ33 RGGTR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM180N03PQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM180N03PQ33 RGGCT-ND
别名：TSM180N03PQ33 RGGCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM180N03PQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM180N03PQ33 RGGDKR-ND
别名：TSM180N03PQ33 RGGDKR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号：
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGTR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号：
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM200N03DPQ33 RGGCT-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号：
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM200N03DPQ33 RGGDKR-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGDKR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.8A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
STN2NE10L
仓库库存编号：
STN2NE10L-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V,
无铅
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