规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD30PF03LT4
仓库库存编号:
497-3158-1-ND
别名:497-3158-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.9A(Ta),41A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3672
仓库库存编号:
FDP3672-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS6PF30L
仓库库存编号:
STS6PF30L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 30V 24A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD30PF03L-1
仓库库存编号:
STD30PF03L-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9.5A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M010A065F
仓库库存编号:
1560-1207-5-ND
别名:1560-1207-1
1560-1207-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9.5A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP2M010A065H
仓库库存编号:
1560-1208-5-ND
别名:1560-1208-1
1560-1208-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 25V,
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