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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW15NK90Z
仓库库存编号：
497-3557-5-ND
别名：497-3557-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6046FNZC8
仓库库存编号：
R6046FNZC8-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP039N04LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP039N04LGXKSA1-ND
别名：IPP039N04L G
IPP039N04L G-ND
IPP039N04LG
SP000680782
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C410NT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C410NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C410NT1GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50N04-4M0L_GE3
仓库库存编号：
SQM50N04-4M0L_GE3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NAFT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFAFT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NAFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFAFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ96N25T
仓库库存编号：
IXTQ96N25T-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N25T
仓库库存编号：
IXTH96N25T-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV96N25T
仓库库存编号：
IXTV96N25T-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 19A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW18NK80Z
仓库库存编号：
497-4423-5-ND
别名：497-4423-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V, 30V 40A 69W, 96W Surface Mount PG-TO263-5
型号：
BTS7904BATMA1
仓库库存编号：
BTS7904BATMA1TR-ND
别名：BTS7904B
BTS7904B-ND
SP000415554
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V, 30V 40A 69W, 96W Surface Mount PG-TO220-5-13
型号：
BTS7904SAKSA1
仓库库存编号：
BTS7904SAKSA1-ND
别名：BTS7904S
BTS7904S-ND
SP000415556
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80N06S3-09
仓库库存编号：
IPD80N06S3-09-ND
别名：SP000264473
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP039N04LGHKSA1
仓库库存编号：
IPP039N04LGHKSA1-ND
别名：SP000391494
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V,
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