规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(17)
分立半导体产品
(17)
筛选品牌
STMicroelectronics (17)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD10NM65N
仓库库存编号:
497-7957-1-ND
别名:497-7957-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
STB12NM50ND
仓库库存编号:
497-10026-1-ND
别名:497-10026-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12NM50ND
仓库库存编号:
497-16200-5-ND
别名:497-16200-5
STF12NM50ND-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11NM60ND
仓库库存编号:
497-11884-5-ND
别名:497-11884-5
STF11NM60ND-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD11NM60ND
仓库库存编号:
497-8477-1-ND
别名:497-8477-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD12NM50ND
仓库库存编号:
497-10020-1-ND
别名:497-10020-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM60ND
仓库库存编号:
497-8442-5-ND
别名:497-8442-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD11NM60N
仓库库存编号:
497-5733-1-ND
别名:497-5733-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11NM60N
仓库库存编号:
497-5886-5-ND
别名:497-5886-5
STF11NM60N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM60N
仓库库存编号:
497-5887-5-ND
别名:497-5887-5
STP11NM60N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STD11NM60N-1
仓库库存编号:
497-5963-5-ND
别名:497-5963-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STB11NM60N-1
仓库库存编号:
STB11NM60N-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM65N
仓库库存编号:
STF10NM65N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NM65N
仓库库存编号:
497-7499-5-ND
别名:497-7499-5
STP10NM65N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU10NM65N
仓库库存编号:
STU10NM65N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU11NM60ND
仓库库存编号:
STU11NM60ND-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI11NM60ND
仓库库存编号:
STI11NM60ND-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 50V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号