以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK7A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK7A55D(STA4QM)
  TK7A55DSTA4QM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A45D(STA4QM)
  TK8A45DSTA4QM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50DA(STA4QM)
  TK8A50DASTA4QM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRLPBF
  仓库库存编号：IRF730STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRRPBF
  仓库库存编号：IRF730STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60DSKM70T1G
  仓库库存编号：APTC60DSKM70T1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60HM70BT3G
  仓库库存编号：APTC60HM70BT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFZ34N
  仓库库存编号：AUIRFZ34N-ND
  别名：SP001521138
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3NB100
  仓库库存编号：497-2641-5-ND
  别名：497-2641-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：IRF630FP
  仓库库存编号：497-12489-5-ND
  别名：497-12489-5
  IRF630FP-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9630
  仓库库存编号：IRF9630-ND
  别名：*IRF9630
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730
  仓库库存编号：IRF730IR-ND
  别名：*IRF730
  IRF730IR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730S
  仓库库存编号：IRF730S-ND
  别名：*IRF730S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630S
  仓库库存编号：IRF9630S-ND
  别名：*IRF9630S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI730G
  仓库库存编号：IRFI730G-ND
  别名：*IRFI730G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9630G
  仓库库存编号：IRFI9630G-ND
  别名：*IRFI9630G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRL
  仓库库存编号：IRF730STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRR
  仓库库存编号：IRF730STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.5A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9630L
  仓库库存编号：IRF9630L-ND
  别名：*IRF9630L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630STRL
  仓库库存编号：IRF9630STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630STRR
  仓库库存编号：IRF9630STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Ta） 60W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB22N06T4
  仓库库存编号：NTB22N06T4OS-ND
  别名：NTB22N06T4OS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 22A（Ta） 60W（Tj） TO-220AB
  
  型号：NTP22N06
  仓库库存编号：NTP22N06OS-ND
  别名：NTP22N06OS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC530PBF
  仓库库存编号：IRC530PBF-ND
  别名：*IRC530PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC730PBF
  仓库库存编号：IRC730PBF-ND
  别名：*IRC730PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索