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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 7.4A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD9N25TF
仓库库存编号:
FQD9N25TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),61W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N50CTF
仓库库存编号:
FQD6N50CTF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),61W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N50CTU
仓库库存编号:
FQU6N50CTU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 6.7A(Tc) 45W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25
仓库库存编号:
FQPF9N25-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.4A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N25TM
仓库库存编号:
FQB9N25TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600N
仓库库存编号:
NTD6600N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6600N-001
仓库库存编号:
NTD6600N-001-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600NT4
仓库库存编号:
NTD6600NT4-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600NT4G
仓库库存编号:
NTD6600NT4G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 2.4W(Ta),62.5W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP2955
仓库库存编号:
NTP2955-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6600N-1G
仓库库存编号:
NTD6600N-1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.5A(Tc) 98W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N50C
仓库库存编号:
FQP6N50C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Ta) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK1119(F)
仓库库存编号:
2SK1119(F)-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6415AN-1G
仓库库存编号:
NTD6415AN-1GOS-ND
别名:NTD6415AN-1G-ND
NTD6415AN-1GOS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Tc) 132W(Tc) TO-220
型号:
AOT5N60
仓库库存编号:
785-1188-5-ND
别名:785-1188-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NTD6415ANT4G
仓库库存编号:
NTD6415ANT4GOSCT-ND
别名:NTD6415ANT4GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-4762
仓库库存编号:
94-4762-ND
别名:*IRFR4105
IRFR4105
IRFR4105-ND
SP001516332
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 21A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ34E
仓库库存编号:
IRFIZ34E-ND
别名:*IRFIZ34E
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NS
仓库库存编号:
IRFZ34NS-ND
别名:*IRFZ34NS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105
仓库库存编号:
IRFU4105-ND
别名:*IRFU4105
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NL
仓库库存编号:
IRFZ34NL-ND
别名:*IRFZ34NL
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRL
仓库库存编号:
IRFR4105TRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TR
仓库库存编号:
IRFR4105TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRR
仓库库存编号:
IRFR4105TRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
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