规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名:SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NLPBF-ND
别名:*IRFZ34NLPBF
SP001557826
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105PBF
仓库库存编号:
IRFU4105PBF-ND
别名:*IRFU4105PBF
SP001567818
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 65W(Tc) DPAK
型号:
PHD45N03LTA,118
仓库库存编号:
PHD45N03LTA,118-ND
别名:934056763118
PHD45N03LTA /T3
PHD45N03LTA /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 40A(Tc) 65W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45N03LTA,127
仓库库存编号:
PHP45N03LTA,127-ND
别名:934056739127
PHP45N03LTA
PHP45N03LTA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR4105
仓库库存编号:
AUIRFR4105-ND
别名:SP001522204
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名:SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V,
无铅
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