规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6250pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N50P3
仓库库存编号:
IXFH60N50P3-ND
别名:625876
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6250pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N50P3
仓库库存编号:
IXFQ60N50P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA55N25
仓库库存编号:
FQA55N25-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6250pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-268
型号:
IXFT60N50P3
仓库库存编号:
IXFT60N50P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6250pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名:SP000866562
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6250pF @ 25V,
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