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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 312W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB120NF10T4
  仓库库存编号：497-2452-1-ND
  别名：497-2452-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 312W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW120NF10
  仓库库存编号：497-5166-5-ND
  别名：497-5166-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK625R0-40C,118
  仓库库存编号：1727-5434-1-ND
  别名：1727-5434-1
  568-6901-1
  568-6901-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 46A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP260PBF
  仓库库存编号：IRFP260PBF-ND
  别名：*IRFP260PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 41A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF120NF10
  仓库库存编号：497-12567-5-ND
  别名：497-12567-5
  STF120NF10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8020JLL
  仓库库存编号：APT8020JLL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8020LFLLG
  仓库库存编号：APT8020LFLLG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK664R6-40C,118
  仓库库存编号：1727-5526-1-ND
  别名：1727-5526-1
  568-7005-1
  568-7005-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 312W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP120NF10
  仓库库存编号：497-4118-5-ND
  别名：497-4118-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 176.5W（Tc） TO-220
  
  型号：STP200N3LL
  仓库库存编号：497-16935-ND
  别名：497-16935
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N20
  仓库库存编号：IXFH60N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8020B2LLG
  仓库库存编号：APT8020B2LLG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM100DDA35T3G
  仓库库存编号：APTM100DDA35T3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM100DSK35T3G
  仓库库存编号：APTM100DSK35T3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM100H35FT3G
  仓库库存编号：APTM100H35FT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100H35FTG
  仓库库存编号：APTM100H35FTG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM100TA35FPG
  仓库库存编号：APTM100TA35FPG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM100TA35SCTPG
  仓库库存编号：APTM100TA35SCTPG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N04S304ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S304ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N04S3-04CT
  IPD90N04S3-04CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S304ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S304ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S3-04CT
  IPB80N04S3-04CT-ND
  IPB80N04S304
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK654R8-40C,127
  仓库库存编号：568-7501-5-ND
  别名：568-7501-5
  934064242127
  BUK654R8-40C,127-ND
  BUK654R840C127
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM100TDU35PG
  仓库库存编号：APTM100TDU35PG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC60N20
  仓库库存编号：IXFC60N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N04S304AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N04S304AKSA1-ND
  别名：IPI80N04S3-04
  IPI80N04S3-04-ND
  SP000261226
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S3-04
  仓库库存编号：IPP80N04S3-04-ND
  别名：IPP80N04S304
  IPP80N04S304AKSA1
  SP000261230
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V,
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