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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200NF04T4
  仓库库存编号：497-3513-1-ND
  别名：497-3513-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200NF04
  仓库库存编号：497-3524-5-ND
  别名：497-3524-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP57N20-33-E3
  仓库库存编号：SUP57N20-33-E3-ND
  别名：SUP57N2033E3
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N03S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N03S4L-03INCT
  IPD90N03S4L-03INCT-ND
  IPD90N03S4L03ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N03S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N03S4L-03CT
  IPB80N03S4L-03CT-ND
  IPB80N03S4L03ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP100NF04
  仓库库存编号：497-7497-5-ND
  别名：497-7497-5
  STP100NF04-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 254W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7606-55B,118
  仓库库存编号：1727-5247-1-ND
  别名：1727-5247-1
  568-6571-1
  568-6571-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100NF04T4
  仓库库存编号：497-5951-1-ND
  别名：497-5951-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM65N20-30-E3
  仓库库存编号：SUM65N20-30-E3CT-ND
  别名：SUM65N20-30-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA62EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA62EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT60N25Q
  仓库库存编号：IXFT60N25Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N25Q
  仓库库存编号：IXFH60N25Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK60N25Q
  仓库库存编号：IXFK60N25Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK26N60Q
  仓库库存编号：IXFK26N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N60Q
  仓库库存编号：IXFT26N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N60Q
  仓库库存编号：IXFR26N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK20N80Q
  仓库库存编号：IXFK20N80Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N60Q
  仓库库存编号：IXFH26N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N80Q
  仓库库存编号：IXFH20N80Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N60Q
  仓库库存编号：IXFX26N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N80Q
  仓库库存编号：IXFT20N80Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DDAM19T3G
  仓库库存编号：APTM10DDAM19T3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DSKM19T3G
  仓库库存编号：APTM10DSKM19T3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10HM19FT3G
  仓库库存编号：APTM10HM19FT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM10TAM19FPG
  仓库库存编号：APTM10TAM19FPG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V,
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