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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50Q
仓库库存编号:
IXFH26N50Q-ND
别名:476048
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50P04P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P04P4L11ATMA1CT-ND
别名:IPD50P04P4L-11CT
IPD50P04P4L-11CT-ND
IPD50P04P4L11ATMA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB050AN06A0
仓库库存编号:
FDB050AN06A0CT-ND
别名:FDB050AN06A0CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC60PBF
仓库库存编号:
IRFPC60PBF-ND
别名:*IRFPC60PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 57A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 57A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK6215-75C,118
仓库库存编号:
1727-5507-1-ND
别名:1727-5507-1
568-6985-1
568-6985-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB34N20LTM
仓库库存编号:
FQB34N20LTMCT-ND
别名:FQB34N20LTM-ND
FQB34N20LTMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP050AN06A0
仓库库存编号:
FDP050AN06A0-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ14N80P
仓库库存编号:
IXFQ14N80P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N80P
仓库库存编号:
IXFH14N80P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXFT14N80P
仓库库存编号:
IXFT14N80P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH24N50Q
仓库库存编号:
IXFH24N50Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N50Q
仓库库存编号:
IXFT26N50Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N50Q
仓库库存编号:
IXFR24N50Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N50Q
仓库库存编号:
IXFT24N50Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC60
仓库库存编号:
IRFPC60-ND
别名:*IRFPC60
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3-H4-ND
SP000415584
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S3-H4
IPB80N04S3-H4-ND
SP000415564
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-H4
IPI80N04S3-H4-ND
SP000415630
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-H4
IPP80N04S3-H4-ND
SP000415702
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB75N05HDT4
仓库库存编号:
MTB75N05HDT4OS-ND
别名:MTB75N05HDT4OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 180W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP34N20L
仓库库存编号:
FQP34N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N20L
仓库库存编号:
FQA34N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17.5A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF34N20L
仓库库存编号:
FQPF34N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 130W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC14N80P
仓库库存编号:
IXFC14N80P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N50Q
仓库库存编号:
IXFR26N50Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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