规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB050AN06A0
仓库库存编号:
FDB050AN06A0CT-ND
别名:FDB050AN06A0CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB34N20LTM
仓库库存编号:
FQB34N20LTMCT-ND
别名:FQB34N20LTM-ND
FQB34N20LTMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP050AN06A0
仓库库存编号:
FDP050AN06A0-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB75N05HDT4
仓库库存编号:
MTB75N05HDT4OS-ND
别名:MTB75N05HDT4OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 180W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP34N20L
仓库库存编号:
FQP34N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N20L
仓库库存编号:
FQA34N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17.5A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF34N20L
仓库库存编号:
FQPF34N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V,
无铅
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