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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV14N80P
  仓库库存编号：IXFV14N80P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 14A（Tc） 400W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV14N80PS
  仓库库存编号：IXFV14N80PS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 46A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP260
  仓库库存编号：IRFP260X-ND
  别名：IRFP260X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
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  无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Tc） 1W（Ta），97W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP33N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP33N06YDG-E1-AY-ND
  NP33N06YDG-E1-AYTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT26N50Q TR
  仓库库存编号：IXFT26N50Q TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04-ND
  别名：SP000013901
  SPB80N03S2L04T
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04 G-ND
  别名：SP000200143
  SPB80N03S2L04GXT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-04
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-04-ND
  别名：SP000013903
  SPI80N03S2L04X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L04AKSA1
  仓库库存编号：SPP80N03S2L04AKSA1-ND
  别名：SPP80N03S2L-04
  SPP80N03S2L-04-ND
  SPP80N03S2L04X
  SPP80N03S2L04XK
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 25V,
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