规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N80K5
仓库库存编号:
497-13753-5-ND
别名:497-13753-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW13N80K5
仓库库存编号:
497-15160-5-ND
别名:497-15160-5
STW13N80K5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP13N80K5
仓库库存编号:
497-13779-5-ND
别名:497-13779-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU13N80K5
仓库库存编号:
497-17144-ND
别名:497-17144
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB13N80K5
仓库库存编号:
497-13860-1-ND
别名:497-13860-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R420CFD
仓库库存编号:
IPB65R420CFDCT-ND
别名:IPB65R420CFDCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 6A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7N52K3
仓库库存编号:
497-12587-5-ND
别名:497-12587-5
STF7N52K3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI13N80K5
仓库库存编号:
497-15374-5-ND
别名:497-15374-5
STFI13N80K5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDATMA1-ND
别名:SP001117738
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.3A(Tc) 83.3W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R460CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R460CFDAUMA1-ND
别名:SP000949260
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 31.2W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R420CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R420CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R420CFD
IPA65R420CFD-ND
SP000890322
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R420CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R420CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R420CFD
IPI65R420CFD-ND
SP000891702
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R420CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R420CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R420CFD
IPP65R420CFD-ND
SP000876824
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDAATMA1-ND
别名:SP000928262
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R420CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R420CFDFKSA1-ND
别名:IPW65R420CFD
IPW65R420CFD-ND
SP000890686
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 100V,
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