规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(36)
分立半导体产品
(36)
筛选品牌
Infineon Technologies (9)
IXYS (11)
Fairchild/ON Semiconductor (7)
ON Semiconductor (1)
Renesas Electronics America (1)
STMicroelectronics (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH58N20
仓库库存编号:
IXFH58N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 290W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA30N40
仓库库存编号:
FQA30N40-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH50N20
仓库库存编号:
IXFH50N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH42N20
仓库库存编号:
IXFH42N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB80NF55-06-1
仓库库存编号:
497-16196-5-ND
别名:497-16196-5
STB80NF55-06-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76645S3ST_F085
仓库库存编号:
HUFA76645S3ST_F085CT-ND
别名:HUFA76645S3ST_F085CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF55-06T4
仓库库存编号:
497-6558-1-ND
别名:497-6558-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB150NF55T4
仓库库存编号:
497-7934-1-ND
别名:497-7934-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF55-06
仓库库存编号:
497-2774-5-ND
别名:497-2774-5
STP80NF5506
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH76N07-12
仓库库存编号:
IXFH76N07-12-ND
别名:IXFH76N0712
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH76N07-11
仓库库存编号:
IXFH76N07-11-ND
别名:628431
IXFH76N0711
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2H5ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
别名:IPB80N06S2H5ATMA2CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta),64A(Tc) 3.8W(Ta), 150W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5113PLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5113PLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5113PLT1GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150NF55
仓库库存编号:
497-6117-5-ND
别名:497-6117-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 45W(Tc) TO-220FP
型号:
STP80NF55-06FP
仓库库存编号:
STP80NF55-06FP-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 72A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH72N20
仓库库存编号:
IXTH72N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N25
仓库库存编号:
IXTH60N25-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N20
仓库库存编号:
IXFT50N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N30
仓库库存编号:
IXTH50N30-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT58N20
仓库库存编号:
IXFT58N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 72A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT72N20
仓库库存编号:
IXTT72N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2H5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2H5AKSA2-ND
别名:SP001063646
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N04S2H4AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N04S2H4AKSA2-ND
别名:SP001061290
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
STW150NF55
仓库库存编号:
STW150NF55-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76645S3S
仓库库存编号:
HUF76645S3S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号