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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S55R4ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S55R4ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP55NF06
  仓库库存编号：497-2777-5-ND
  别名：497-2777-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI640GPBF
  仓库库存编号：IRFI640GPBF-ND
  别名：*IRFI640GPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBE30GPBF
  仓库库存编号：IRFIBE30GPBF-ND
  别名：*IRFIBE30GPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40PBF
  仓库库存编号：IRFBC40PBF-ND
  别名：*IRFBC40PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 94W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3315PBF
  仓库库存编号：IRF3315PBF-ND
  别名：*IRF3315PBF
  SP001553934
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 P 沟道 23A（Tc） 140W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP9140NPBF
  仓库库存编号：IRFP9140NPBF-ND
  别名：*IRFP9140NPBF
  SP001556802
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A50E,S4X
  仓库库存编号：TK12A50ES4X-ND
  别名：TK12A50E,S4X(S
  TK12A50E,S5X
  TK12A50E,S5X(M
  TK12A50ES4X
  TK12A50ES4X(S
  TK12A50ES4X(S-ND
  TK12A50ES5X
  TK12A50ES5X-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI840GPBF
  仓库库存编号：IRFI840GPBF-ND
  别名：*IRFI840GPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP440PBF
  仓库库存编号：IRFP440PBF-ND
  别名：*IRFP440PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 145W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75332P3
  仓库库存编号：HUF75332P3FS-ND
  别名：HUF75332P3-ND
  HUF75332P3FS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 6.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC40PBF
  仓库库存编号：IRFPC40PBF-ND
  别名：*IRFPC40PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6012ANX
  仓库库存编号：R6012ANX-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6012FNX
  仓库库存编号：R6012FNX-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRF640STRRPBF
  仓库库存编号：IRF640STRRPBFCT-ND
  别名：IRF640STRRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBE30LPBF
  仓库库存编号：IRFBE30LPBF-ND
  别名：*IRFBE30LPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF06T4
  仓库库存编号：497-3159-1-ND
  别名：497-3159-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB55NF06T4
  仓库库存编号：497-6553-1-ND
  别名：497-6553-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840STRLPBF
  仓库库存编号：IRF840STRLPBFCT-ND
  别名：IRF840STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：R6012FNJTL
  仓库库存编号：R6012FNJTLCT-ND
  别名：R6012FNJTLCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60E,S4X
  仓库库存编号：TK10A60ES4X-ND
  别名：TK10A60E,S4X(S
  TK10A60E,S5X
  TK10A60E,S5X(M
  TK10A60ES4X
  TK10A60ES4X(S
  TK10A60ES4X(S-ND
  TK10A60ES5X
  TK10A60ES5X-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP55NF06FP
  仓库库存编号：497-3193-5-ND
  别名：497-3193-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5013ANXFU6
  仓库库存编号：R5013ANXFU6-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB20NM60D
  仓库库存编号：497-6193-1-ND
  别名：497-6193-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NM60FD
  仓库库存编号：497-5395-5-ND
  别名：497-5395-5
  STP20NM60FD-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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