规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(139)
分立半导体产品
(139)
筛选品牌
Infineon Technologies (26)
IXYS (1)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (12)
ON Semiconductor (8)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (6)
STMicroelectronics (17)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (65)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NM60FD
仓库库存编号：
497-5415-5-ND
别名：497-5415-5
STW20NM60FD-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），78A（Tc） 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLAFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLWFT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），78A（Tc） 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLWFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），78A（Tc） 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLWFAFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 75W（Tc） 4-LDPAK
型号：
H5N2522LSTL-E
仓库库存编号：
H5N2522LSTL-E-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LPBF
仓库库存编号：
IRF840LPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5013ANJTL
仓库库存编号：
R5013ANJTL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R6012ANJTL
仓库库存编号：
R6012ANJTL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30STRLPBF
仓库库存编号：
IRFBE30STRLPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFBC40LPBF
仓库库存编号：
IRFBC40LPBF-ND
别名：*IRFBC40LPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644STRLPBF
仓库库存编号：
IRF644STRLPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644STRRPBF
仓库库存编号：
IRF644STRRPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC40G
仓库库存编号：
IRFIBC40G-ND
别名：*IRFIBC40G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH3N120
仓库库存编号：
IXTH3N120-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3315STRLPBF-ND
别名：SP001563170
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3315STRL
仓库库存编号：
AUIRF3315STRL-ND
别名：SP001520192
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220
型号：
STFV4N150
仓库库存编号：
497-5093-5-ND
别名：497-5093-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
型号：
STU70N2LH5
仓库库存编号：
STU70N2LH5-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD70N2LH5
仓库库存编号：
497-10094-1-ND
别名：497-10094-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
型号：
STF20NM60D
仓库库存编号：
STF20NM60D-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840
仓库库存编号：
IRF840IR-ND
别名：*IRF840
IRF840IR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
