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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40STRL
  仓库库存编号：IRFBC40STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40STRR
  仓库库存编号：IRFBC40STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBE30L
  仓库库存编号：IRFBE30L-ND
  别名：*IRFBE30L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE30S
  仓库库存编号：IRFBE30S-ND
  别名：*IRFBE30S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE30STRL
  仓库库存编号：IRFBE30STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE30STRR
  仓库库存编号：IRFBE30STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRCZ34PBF
  仓库库存编号：IRCZ34PBF-ND
  别名：*IRCZ34PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC840PBF
  仓库库存编号：IRC840PBF-ND
  别名：*IRC840PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC540PBF
  仓库库存编号：IRC540PBF-ND
  别名：*IRC540PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC640PBF
  仓库库存编号：IRC640PBF-ND
  别名：*IRC640PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRF640LPBF
  仓库库存编号：IRF640LPBF-ND
  别名：*IRF640LPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3682
  仓库库存编号：FDS3682-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75333P3
  仓库库存编号：HUF75333P3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75332S3ST
  仓库库存编号：HUF75332S3ST-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-262AA
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） TO-262AA
  
  型号：HUF75333S3
  仓库库存编号：HUF75333S3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75333S3ST
  仓库库存编号：HUF75333S3ST-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75332S3S
  仓库库存编号：HUFA75332S3S-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 66A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA75333P3
  仓库库存编号：HUFA75333P3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75332S3ST
  仓库库存编号：HUFA75332S3ST-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75333S3S
  仓库库存编号：HUFA75333S3S-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75333S3ST
  仓库库存编号：HUFA75333S3ST-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） TO-247
  
  型号：HUFA75332G3
  仓库库存编号：HUFA75332G3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1205
  仓库库存编号：IRFR1205-ND
  别名：*IRFR1205
  SP001578028
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 27A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3315
  仓库库存编号：IRF3315-ND
  别名：*IRF3315
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3315S
  仓库库存编号：IRF3315S-ND
  别名：*IRF3315S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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