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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP310N10F7
仓库库存编号:
497-13233-5-ND
别名:497-13233-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-6
仓库库存编号:
497-14719-1-ND
别名:497-14719-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP315N10F7
仓库库存编号:
497-14717-5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86361_F085
仓库库存编号:
FDBL86361_F085CT-ND
别名:FDBL86361_F085CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0150N80
仓库库存编号:
FDBL0150N80CT-ND
别名:FDBL0150N80CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH310N10F7-2
仓库库存编号:
497-13585-1-ND
别名:497-13585-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-2
仓库库存编号:
497-14718-1-ND
别名:497-14718
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc)
型号:
STH310N10F7-6
仓库库存编号:
497-13586-1-ND
别名:497-13586-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50Q2
仓库库存编号:
IXFN80N50Q2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
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