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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH320N10T2
  仓库库存编号：IXFH320N10T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26000pF @ 25V,
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• IXYS
  40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 440A（Tc） 940W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT440N04T4HV
  仓库库存编号：IXTT440N04T4HV-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT320N10T2
  仓库库存编号：IXFT320N10T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 240A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB240N03S4LR8ATMA1
  仓库库存编号：IPB240N03S4LR8ATMA1-ND
  别名：SP000952928
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26000pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 45A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE45NK80ZD
  仓库库存编号：497-5387-5-ND
  别名：497-5387-5
  STE45NK80ZD-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26000pF @ 25V,
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