规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(83)
分立半导体产品
(83)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH13N80
仓库库存编号：
IXTH13N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH20N60
仓库库存编号：
IXTH20N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N15Q
仓库库存编号：
IXFH80N15Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N15Q
仓库库存编号：
IXFK80N15Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH14N80
仓库库存编号：
IXTH14N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH36N55Q
仓库库存编号：
IXFH36N55Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ40N50Q
仓库库存编号：
IXTQ40N50Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX14N100
仓库库存编号：
IXFX14N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N90
仓库库存编号：
IXTH12N90-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N10Q
仓库库存编号：
IXFT80N10Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK15N100Q
仓库库存编号：
IXFK15N100Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX15N100
仓库库存编号：
IXFX15N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100Q
仓库库存编号：
IXFH15N100Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100
仓库库存编号：
IXFH15N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT14N100
仓库库存编号：
IXFT14N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT6017LLLG
仓库库存编号：
APT6017LLLG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT6017LFLLG
仓库库存编号：
APT6017LFLLG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 76A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N10Q
仓库库存编号：
IXFR80N10Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT75N10
仓库库存编号：
IXTT75N10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 75A 300W Through Hole ECO-PAC2
型号：
VKM60-01P1
仓库库存编号：
VKM60-01P1-ND
别名：VKM 60-01 P1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S407AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S407AKSA2-ND
别名：SP001028666
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名：SP001028672
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S407AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S407AKSA2-ND
别名：SP001028676
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
型号：
BUK7107-55ATE,118
仓库库存编号：
568-9628-1-ND
别名：568-9628-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
型号：
BUK7107-55AIE,118
仓库库存编号：
BUK7107-55AIE,118-ND
别名：934057272118
BUK7107-55AIE /T3
BUK7107-55AIE /T3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
