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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP360
仓库库存编号：
IRFP360-ND
别名：*IRFP360
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH67N10
仓库库存编号：
IXFH67N10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N60
仓库库存编号：
IXFH15N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH20N60
仓库库存编号：
IXFH20N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP054
仓库库存编号：
IRFP054-ND
别名：*IRFP054
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA24N50
仓库库存编号：
FQA24N50-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA24N50F
仓库库存编号：
FQA24N50F-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
型号：
BUK7105-40ATE,118
仓库库存编号：
BUK7105-40ATE,118-ND
别名：934057947118
BUK7105-40ATE /T3
BUK7105-40ATE /T3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
型号：
BUK7107-40ATC,118
仓库库存编号：
BUK7107-40ATC,118-ND
别名：934057269118
BUK7107-40ATC /T3
BUK7107-40ATC /T3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT15N100Q
仓库库存编号：
IXFT15N100Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5411NT4G
仓库库存编号：
NTB5411NT4G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5411NG
仓库库存编号：
NTP5411NG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N100
仓库库存编号：
IXFH14N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 100A（Tc） 360W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN100N10S1
仓库库存编号：
IXFN100N10S1-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 100A（Tc） 360W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN100N10S2
仓库库存编号：
IXFN100N10S2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 100A（Tc） 360W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN100N10S3
仓库库存编号：
IXFN100N10S3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N15Q
仓库库存编号：
IXFT80N15Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 72A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC75N10
仓库库存编号：
IXTC75N10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） D2PAK
型号：
NTB6448ANG
仓库库存编号：
NTB6448ANG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） D2PAK
型号：
NTB6448ANT4G
仓库库存编号：
NTB6448ANT4G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） TO-220AB
型号：
NTP6448ANG
仓库库存编号：
NTP6448ANG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA24N50F_F109
仓库库存编号：
FQA24N50F_F109-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA24N50_F109
仓库库存编号：
FQA24N50_F109-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 85A（Tc） 3.75W（Ta），166W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N03-04P-E3
仓库库存编号：
SUP85N03-04P-E3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta），178A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB1606L
仓库库存编号：
785-1321-1-ND
别名：785-1321-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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