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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 170A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK170P10P
  仓库库存编号：IXTK170P10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 170A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN170P10P
  仓库库存编号：IXTN170P10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 108A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR170P10P
  仓库库存编号：IXTR170P10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP240N10F7
  仓库库存编号：497-13588-5-ND
  别名：497-13588-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP270N06T3
  仓库库存编号：IXFP270N06T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA270N06T3
  仓库库存编号：IXFA270N06T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH270N06T3
  仓库库存编号：IXFH270N06T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY140NS10
  仓库库存编号：497-3267-5-ND
  别名：497-3267-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 170A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX170P10P
  仓库库存编号：IXTX170P10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 60A（Tc） 590W（Tc） TO-240AA
  
  型号：VMO60-05F
  仓库库存编号：VMO60-05F-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12600pF @ 25V,
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