规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK60N50L2
仓库库存编号:
IXTK60N50L2-ND
别名:622124
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 53A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN60N50L2
仓库库存编号:
IXTN60N50L2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 400A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 400A(Tc) 1000W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH400N075T2
仓库库存编号:
IXFH400N075T2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX60N50L2
仓库库存编号:
IXTX60N50L2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 38A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N100P
仓库库存编号:
IXFN38N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 400A(Tc) 1000W(Tc) TO-268
型号:
IXFT400N075T2
仓库库存编号:
IXFT400N075T2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 29A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL38N100P
仓库库存编号:
IXFL38N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 84A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT80M60J
仓库库存编号:
APT80M60J-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 170V 245A(Tc) 1090W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN260N17T
仓库库存编号:
IXFN260N17T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 170V 260A(Tc) 1670W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK260N17T
仓库库存编号:
IXFK260N17T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 170V 260A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX260N17T
仓库库存编号:
IXFX260N17T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24000pF @ 25V,
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