规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(13)
分立半导体产品
(13)
筛选品牌
Infineon Technologies (5)
IXYS (2)
Nexperia USA Inc. (5)
NXP USA Inc. (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N450HV
仓库库存编号:
IXTT1N450HV-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900mA(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1N450
仓库库存编号:
IXTF1N450-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E8R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7248-ND
别名:1727-7248
568-9857-5
568-9857-5-ND
934066418127
BUK7E8R340E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E13-60E,127
仓库库存编号:
1727-7240-ND
别名:1727-7240
568-9847-5
568-9847-5-ND
934066633127
BUK7E1360E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-60E,118
仓库库存编号:
1727-7250-1-ND
别名:1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK768R1-40E,118
仓库库存编号:
1727-7257-1-ND
别名:1727-7257-1
568-9886-1
568-9886-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO263-5
型号:
BTS247ZE3062AATMA2
仓库库存编号:
BTS247ZE3062AATMA2-ND
别名:SP000910846
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK758R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7239-ND
别名:1727-7239
568-9846-5
568-9846-5-ND
934066425127
BUK758R340E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) TO-220-5
型号:
BTS247Z E3062A
仓库库存编号:
BTS247Z E3062A-ND
别名:BTS247ZE3062AATMA1
BTS247ZE3062ANT
BTS247ZE3062AT
BTS247ZE3062AT-ND
SP000012187
SP000399010
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO220-5-3
型号:
BTS247ZAKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZAKSA1-ND
别名:BTS247Z
BTS247Z-ND
BTS247ZNK
SP000012184
SP000468058
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) P-TO220-5
型号:
BTS247ZE3043AKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZE3043AKSA1-ND
别名:BTS247Z E3043
BTS247Z E3043-ND
BTS247ZE3043
BTS247ZE3043NK
SP000012185
SP000399008
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 30W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S3L-35
仓库库存编号:
IPG20N06S3L-35-ND
别名:SP000396306
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 58A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7514-60E,127
仓库库存编号:
568-9836-5-ND
别名:568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 25V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号