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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 1135W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN50N80Q2
  仓库库存编号：IXFN50N80Q2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140P05T
  仓库库存编号：IXTP140P05T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 380W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL38N100Q2
  仓库库存编号：IXFL38N100Q2-ND
  别名：614235
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60Q3
  仓库库存编号：IXFN82N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT170N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT170N25X3HV-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 170A（Tc） 390W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N25X3
  仓库库存编号：IXFN170N25X3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264
  
  型号：APT84M50L
  仓库库存编号：APT84M50L-ND
  别名：APT84M50LMI
  APT84M50LMI-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84M50B2
  仓库库存编号：APT84M50B2-ND
  别名：APT84M50B2MI
  APT84M50B2MI-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH170N25X3
  仓库库存编号：IXFH170N25X3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK170N25X3
  仓库库存编号：IXFK170N25X3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA140P05T
  仓库库存编号：IXTA140P05T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH140P05T
  仓库库存编号：IXTH140P05T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84F50B2
  仓库库存编号：APT84F50B2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT84F50L
  仓库库存编号：APT84F50L-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 82A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB82N60Q3
  仓库库存编号：IXFB82N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58F50J
  仓库库存编号：APT58F50J-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58M50J
  仓库库存编号：APT58M50J-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB38N100Q2
  仓库库存编号：IXFB38N100Q2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1400V 23A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT14050JVFR
  仓库库存编号：APT14050JVFR-ND
  别名：APT14050JFVR
  APT14050JFVR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N03KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N03KDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP88N03KDG-E1-AYCT
  NP88N03KDGE1AY
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58MJ50J
  仓库库存编号：APT58MJ50J-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13500pF @ 25V,
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