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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS83PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS83P H6327CT
  BSS83P H6327CT-ND
  BSS83PH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ370UNEYL
  仓库库存编号：1727-2321-1-ND
  别名：1727-2321-1
  568-12607-1
  568-12607-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：PMZB370UNE,315
  仓库库存编号：1727-1379-1-ND
  别名：1727-1379-1
  568-10842-1
  568-10842-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119L6433HTMA1
  仓库库存编号：BSS119L6433HTMA1CT-ND
  别名：BSS119 L6433CT
  BSS119 L6433CT-ND
  BSS119L6433
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119E6327
  仓库库存编号：BSS119INCT-ND
  别名：BSS119INCT
  BSS119XTINCT
  BSS119XTINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PE6327
  仓库库存编号：BSS83PE6327INCT-ND
  别名：BSS83PE6327INCT
  BSS83PE6327XTINCT
  BSS83PE6327XTINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E6433
  仓库库存编号：BSS119 E6433-ND
  别名：BSS119E6433XT
  SP000011164
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E7796
  仓库库存编号：BSS119 E7796-ND
  别名：BSS119E7796T
  SP000011162
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E7978
  仓库库存编号：BSS119 E7978-ND
  别名：BSS119E7978XT
  SP000011163
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS83PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS83PL6327CT-ND
  BSS83PL6327CT_ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS83P L6327-ND
  别名：BSS83P L6327
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 78pF @ 25V,
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