规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
型号:
DMG6602SVTQ-7
仓库库存编号:
DMG6602SVTQ-7DICT-ND
别名:DMG6602SVTQ-7DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
STD16NF06T4
仓库库存编号:
497-15667-1-ND
别名:497-15667-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 28A 16.7W, 31W Surface Mount 8-PowerPair?
型号:
SIZ300DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ300DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ300DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
型号:
DMG6602SVT-7
仓库库存编号:
DMG6602SVT-7DICT-ND
别名:DMG6602SVT-7DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN5630
仓库库存编号:
FDN5630CT-ND
别名:FDN5630_F095CT
FDN5630_F095CT-ND
FDN5630CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.5A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2341DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2341DS-T1-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.5A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2341DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2341DS-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5851
仓库库存编号:
IRF5851-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5852
仓库库存编号:
IRF5852-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5851TR
仓库库存编号:
IRF5851TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5852TR
仓库库存编号:
IRF5852TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5851TRPBF
仓库库存编号:
IRF5851TRPBFCT-ND
别名:IRF5851TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5852TRPBF
仓库库存编号:
IRF5852TRPBFCT-ND
别名:IRF5852TRPBFCT
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