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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J56MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J56MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-ND
SSM3J56MFVL3FCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 350mA 446mW Surface Mount SC-89-6
型号:
FDY2000PZ
仓库库存编号:
FDY2000PZCT-ND
别名:FDY2000PZCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 350mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
型号:
FDY100PZ
仓库库存编号:
FDY100PZCT-ND
别名:FDY100PZCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
型号:
FDY101PZ
仓库库存编号:
FDY101PZCT-ND
别名:FDY101PZCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 400mW(Ta) DFN1006-3
型号:
RV2C014BCT2CL
仓库库存编号:
RV2C014BCT2CLCT-ND
别名:RV2C014BCT2CLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3J56ACT,L3F
仓库库存编号:
SSM3J56ACTL3FCT-ND
别名:SSM3J56ACTL3FCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 150mA 446mW Surface Mount SC-89-6
型号:
FDY2001PZ
仓库库存编号:
FDY2001PZ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 400mW Surface Mount SC-89-6
型号:
AO5803E
仓库库存编号:
785-1561-1-ND
别名:785-1561-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 500mA(Ta) 280mW(Ta) SC-89-3
型号:
AO5401E
仓库库存编号:
785-1557-1-ND
别名:785-1557-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V,
无铅
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