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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RUF015N02TL
仓库库存编号:
RUF015N02TLCT-ND
别名:RUF015N02TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1967DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1967DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1967DH-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6
型号:
US6K4TR
仓库库存编号:
US6K4CT-ND
别名:US6K4CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U34TR
仓库库存编号:
QS5U34CT-ND
别名:QS5U34CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RSQ015N06TR
仓库库存编号:
RSQ015N06CT-ND
别名:RSQ015N06CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
型号:
US6M11TR
仓库库存编号:
US6M11CT-ND
别名:US6M11CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 720mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6P41FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6P41FE(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6P41FE(TE85LF)CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RSQ020N03TR
仓库库存编号:
RSQ020N03CT-ND
别名:RSQ020N03CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
ES6U2T2R
仓库库存编号:
ES6U2T2R-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RSF015N06TL
仓库库存编号:
RSF015N06TL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1967DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1967DH-T1-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 400mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1C015UNT2R
仓库库存编号:
RW1C015UNT2R-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1988DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1988DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1988DH-T1-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6K31TR
仓库库存编号:
MP6K31CT-ND
别名:MP6K31CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1988DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1988DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1988DH-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6K31TCR
仓库库存编号:
MP6K31TCRCT-ND
别名:MP6K31TCRCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V,
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