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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K341R,LF
仓库库存编号:
SSM3K341RLFCT-ND
别名:SSM3K341RLFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.63A 1.16W Surface Mount 8-SO
型号:
DMN2041LSD-13
仓库库存编号:
DMN2041LSD-13DICT-ND
别名:DMN2041LSD-13DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 45V 4.5A, 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8M24TB1
仓库库存编号:
SH8M24TB1CT-ND
别名:SH8M24TB1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.1A(Ta) 530mW(Ta), 4.46W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN70XPX
仓库库存编号:
1727-2701-1-ND
别名:1727-2701-1
568-13220-1
568-13220-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.5A(Ta) 490mW(Ta), 5W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV75UP,215
仓库库存编号:
1727-2312-1-ND
别名:1727-2312-1
568-12598-1
568-12598-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 485mW(Ta),6.25W(Tc) DFN2020-6
型号:
PMFPB8032XP,115
仓库库存编号:
1727-1351-1-ND
别名:1727-1351-1
568-10788-1
568-10788-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.4A(Ta) 780mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2041L-7
仓库库存编号:
DMN2041L-7DICT-ND
别名:DMN2041L-7DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 45V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8K22TB1
仓库库存编号:
SH8K22TB1CT-ND
别名:SH8K22TB1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.8W(Ta) 6-DFN(1.6x1.6)
型号:
AON1611
仓库库存编号:
785-1488-1-ND
别名:785-1488-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 850mW(Ta),15W(Tc) CPT3
型号:
RSD046P05TL
仓库库存编号:
RSD046P05TLCT-ND
别名:RSD046P05TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 485mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB80XP,115
仓库库存编号:
1727-1331-1-ND
别名:1727-1331-1
568-10763-1
568-10763-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 385mW(Ta) 6-TSOP
型号:
PMN80XP,115
仓库库存编号:
1727-1363-1-ND
别名:1727-1363-1
568-10806-1
568-10806-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 45V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8K22FU6TB
仓库库存编号:
SP8K22FU6TB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRL
仓库库存编号:
IRL3714ZSCTL-ND
别名:*IRL3714ZSTRL
IRL3714ZSCTL
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC632P
仓库库存编号:
NDC632PCT-ND
别名:NDC632PCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 485mW(Ta),6.25W(Tc) DFN2020-6
型号:
PMFPB8040XP,115
仓库库存编号:
1727-1352-1-ND
别名:1727-1352-1
568-10789-1
568-10789-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714Z
仓库库存编号:
IRL3714Z-ND
别名:*IRL3714Z
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714ZL
仓库库存编号:
IRL3714ZL-ND
别名:*IRL3714ZL
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714ZPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZPBF-ND
别名:*IRL3714ZPBF
SP001578634
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSPBF-ND
别名:*IRL3714ZSPBF
SP001568360
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714ZLPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZLPBF-ND
别名:*IRL3714ZLPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSTRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSTRLPBF-ND
别名:SP001557964
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V,
无铅
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