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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J130TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J130TULFCT-ND
  别名：SSM3J130TU(TE85L)CT
  SSM3J130TU(TE85L)CT-ND
  SSM3J130TULFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J502NU,LF(T
  仓库库存编号：SSM6J502NULF(TCT-ND
  别名：SSM6J502NULF(TCT
  SSM6J502NULFCT
  SSM6J502NULFCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET 2N-CH 20V 8A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8A Surface Mount DFN2030-6
  
  型号：MCCD2005-TP
  仓库库存编号：MCCD2005-TPMSCT-ND
  别名：MCCD2005-TPMSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA413DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA413DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA413DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8092,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8092LQ(S-ND
  别名：TPC8092LQ(S
  TPC8092LQS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA413ADJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA413ADJ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK2266(TE24R,Q)
  仓库库存编号：2SK2266(TE24R,Q)-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8026(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ941EP-T1-GE3
  仓库库存编号：SQJ941EP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A06-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
  别名：TPC8A06HTE12LQM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V,
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