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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta），830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSH114,215
  仓库库存编号：1727-6214-1-ND
  别名：1727-6214-1
  568-8025-1
  568-8025-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GTB-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GTB
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GCT-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1NB60CW RPG
  仓库库存编号：TSM1NB60CW RPGTR-ND
  别名：TSM1NB60CW RPGTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1NB60CW RPG
  仓库库存编号：TSM1NB60CW RPGCT-ND
  别名：TSM1NB60CW RPGCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1NB60CW RPG
  仓库库存编号：TSM1NB60CW RPGDKR-ND
  别名：TSM1NB60CW RPGDKR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM1NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM1NB60CP ROGTR-ND
  别名：TSM1NB60CP ROGTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM1NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM1NB60CP ROGCT-ND
  别名：TSM1NB60CP ROGCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM1NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM1NB60CP ROGDKR-ND
  别名：TSM1NB60CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT B0G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT B0G-ND
  别名：TSM1NB60SCT B0GTR
  TSM1NB60SCT B0GTR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM1NB60CH C5G
  仓库库存编号：TSM1NB60CH C5G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 138pF @ 25V,
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