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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 580mW(Ta),12.5W(Tc) SOT-89-3
型号:
BSS87,115
仓库库存编号:
1727-4936-1-ND
别名:1727-4936-1
568-6228-1
568-6228-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 72mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
DN3135K1-G
仓库库存编号:
DN3135K1-GCT-ND
别名:DN3135K1-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 135mA(Tj) 1.3W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN3135N8-G
仓库库存编号:
DN3135N8-GCT-ND
别名:DN3135N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tj) 1.3W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN3145N8-G
仓库库存编号:
DN3145N8-GCT-ND
别名:DN3145N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 45mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP0545A
仓库库存编号:
ZVP0545A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP01N100D
仓库库存编号:
IXTP01N100D-ND
别名:607074
Q1614635
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 375mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP126,115
仓库库存编号:
1727-4927-1-ND
别名:1727-4927-1
568-6219-1
568-6219-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY01N100D
仓库库存编号:
IXTY01N100D-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY02N50D
仓库库存编号:
IXTY02N50D-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 375mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP89,115
仓库库存编号:
1727-2969-1-ND
别名:1727-2969-1
568-1769-1
568-1769-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP130,115
仓库库存编号:
1727-4928-1-ND
别名:1727-4928-1
568-6220-1
568-6220-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 75mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP0545GTA
仓库库存编号:
ZVP0545GCT-ND
别名:ZVP0545GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 450V 45mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP0545ASTZ
仓库库存编号:
ZVP0545ASTZ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 150V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TC6215TG-G
仓库库存编号:
TC6215TG-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU01N100D
仓库库存编号:
IXTU01N100D-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU02N50D
仓库库存编号:
IXTU02N50D-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP02N50D
仓库库存编号:
IXTP02N50D-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 4.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 4.7A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
STP5N120
仓库库存编号:
497-8811-5-ND
别名:497-8811-5
STP5N120-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 450V 45mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP0545ASTOA
仓库库存编号:
ZVP0545ASTOA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 450V 45mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP0545ASTOB
仓库库存编号:
ZVP0545ASTOB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7102
仓库库存编号:
IRF7102-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108,126
仓库库存编号:
BS108,126-ND
别名:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108/01,126
仓库库存编号:
BS108/01,126-ND
别名:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254,126
仓库库存编号:
BSN254,126-ND
别名:934004930126
BSN254 AMO
BSN254 AMO-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254A,126
仓库库存编号:
BSN254A,126-ND
别名:934003960126
BSN254A AMO
BSN254A AMO-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 25V,
无铅
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