规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC658P
仓库库存编号:
FDC658PCT-ND
别名:FDC658PCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR302NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR302NL6327HTSA1CT-ND
别名:BSR302N L6327CT
BSR302N L6327CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS4111PT1G
仓库库存编号:
NTGS4111PT1GOSCT-ND
别名:NTGS4111PT1GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 56W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM088NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM088NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM088NA03CR RLGTR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 56W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM088NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM088NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM088NA03CR RLGCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 56W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM088NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM088NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM088NA03CR RLGDKR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1079X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1079X-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NVGS4111PT1G
仓库库存编号:
NVGS4111PT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL302SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL302SNH6327XTSA1-ND
别名:SP001100662
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
型号:
FDR8508P
仓库库存编号:
FDR8508P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.6A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS4111PT1
仓库库存编号:
NTGS4111PT1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.6A(Tc) 1.93W(Ta),2.75W(Tc) 8-SO
型号:
SI4833ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4833ADY-T1-E3TR-ND
别名:SI4833ADY-T1-E3TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.6A(Tc) 1.93W(Ta),2.75W(Tc) 8-SO
型号:
SI4833ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4833ADY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V,
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