以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-WLCSP（1.6x1.6）
  
  型号：SI8425DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8425DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8425DB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：UPA2814T1S-E2-AT
  仓库库存编号：UPA2814T1S-E2-AT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP36P04SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP36P04SDG-E1-AYCT
  NP36P04SDGE1AY
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 65A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK65S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK65S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK65S04K3L(T6L1NQ
  TK65S04K3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
  
  型号：NP36P04KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P04KDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-AZ-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-Z-E1-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-Z-E1-AZ-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索