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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094T4G
仓库库存编号:
NTD3055-094T4GOSCT-ND
别名:NTD3055-094T4GOS
NTD3055-094T4GOS-ND
NTD3055-094T4GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252
型号:
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 750mA(Tj) 360mW(Tc) TO-39
型号:
VP2206N2
仓库库存编号:
VP2206N2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL G
仓库库存编号:
SPD09P06PL GCT-ND
别名:SPD09P06PL GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2703TRPBFCT-ND
别名:*IRLR2703TRPBF
IRLR2703PBFCT
IRLR2703PBFCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL2703PBF
仓库库存编号:
IRL2703PBF-ND
别名:*IRL2703PBF
SP001558664
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta),21A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
AUIRF7640S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7640S2CT-ND
别名:AUIRF7640S2CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10TM
仓库库存编号:
FQD13N10TMCT-ND
别名:FQD13N10TMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP13N10
仓库库存编号:
FQP13N10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 640mA(Tj) 740mW(Tc) TO-92-3
型号:
VP2206N3-G
仓库库存编号:
VP2206N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R5007FNX
仓库库存编号:
R5007FNX-ND
别名:R5007FNXCT
R5007FNXCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 2.4W(Ta) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL7N6F7
仓库库存编号:
497-16934-1-ND
别名:497-16934-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3W(Ta),60W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL8N6F7
仓库库存编号:
STL8N6F7-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NVD3055-094T4G-VF01
仓库库存编号:
NVD3055-094T4G-VF01-ND
别名:NVD3055-094T4G
NVD3055-094T4G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 640mA(Tj) 740mW(Tc) TO-92-3
型号:
VP2206N3-G-P003
仓库库存编号:
VP2206N3-G-P003-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R4N100P
仓库库存编号:
IXTY1R4N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R4N100P
仓库库存编号:
IXTP1R4N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R4N100P
仓库库存编号:
IXTA1R4N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 50W(Tc) TO-220
型号:
NDP4060
仓库库存编号:
NDP4060-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 15A(Tc) 50W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB4050
仓库库存编号:
NDB4050CT-ND
别名:NDB4050CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 50W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB4060
仓库库存编号:
NDB4060TR-ND
别名:NDB4060TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06T4
仓库库存编号:
NTB18N06T4OS-ND
别名:NTB18N06T4OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD15N06T4
仓库库存编号:
NTD15N06T4OS-ND
别名:NTD15N06T4OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06
仓库库存编号:
NTP18N06OS-ND
别名:NTP18N06OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD15N06-001
仓库库存编号:
NTD15N06-001OS-ND
别名:NTD15N06-001OS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
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