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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06T4G
仓库库存编号:
NTB18N06T4GOS-ND
别名:NTB18N06T4GOS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06G
仓库库存编号:
NTP18N06GOS-ND
别名:NTP18N06GOS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N10TU
仓库库存编号:
FQU13N10TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N10
仓库库存编号:
FQPF13N10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10TF
仓库库存编号:
FQD13N10TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17N08
仓库库存编号:
FQP17N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB13N10TM
仓库库存编号:
FQB13N10TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 80V 11.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17N08
仓库库存编号:
FQPF17N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N60TM
仓库库存编号:
FQD3N60TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N60TU
仓库库存编号:
FQU3N60TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N60TF
仓库库存编号:
FQD3N60TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N60
仓库库存编号:
FQP3N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 3.13W(Ta),65W(Tc) I2PAK
型号:
FQI17N08TU
仓库库存编号:
FQI17N08TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 3.13W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB17N08TM
仓库库存编号:
FQB17N08TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 34W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N60
仓库库存编号:
FQPF3N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2088R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2088R-EL-E-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06
仓库库存编号:
NTB18N06-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06G
仓库库存编号:
NTB18N06G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094
仓库库存编号:
NTD3055-094-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1
仓库库存编号:
NTD3055-094-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1G
仓库库存编号:
NTD3055-094-1GOS-ND
别名:NTD3055-094-1G-ND
NTD3055-094-1GOS
NTD30550941G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3.8A(Tc) D-Pak
型号:
IRFR224BTM_TC002
仓库库存编号:
IRFR224BTM_TC002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.4A(Tc) 2W(Ta),25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD08P06-155L-E3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-E3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD08P06-155L-T4E3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-T4E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2703
仓库库存编号:
IRLU2703-ND
别名:*IRLU2703
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V,
含铅
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