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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 16A CPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD160P05TL
仓库库存编号:
RSD160P05TLCT-ND
别名:RSD160P05TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
-20V PCH+PCH POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 2W Surface Mount HUML2020L8
型号:
UT6J3TCR
仓库库存编号:
UT6J3TCRCT-ND
别名:UT6J3TCRCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS130N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS130N03FU6TB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1054DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1054DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK1054DPB-00#J5-ND
RJK1054DPB-00#J5TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FKV550N
仓库库存编号:
FKV550N-ND
别名:FKV550N DK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 50V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 85W(Tc) TO-220
型号:
EKV550
仓库库存编号:
EKV550-ND
别名:EKV550 DK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RRS110N03TB1
仓库库存编号:
RRS110N03TB1CT-ND
别名:RRS110N03TB1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0454DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0454DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0454DPB-00#J5CT
RJK0454DPB00J5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0654DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0654DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0654DPB-00#J5CT
RJK0654DPB00J5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 25A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0854DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0854DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0854DPB-00#J5CT
RJK0854DPB00J5
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