规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
BUK6217-55C,118
仓库库存编号:
1727-5508-1-ND
别名:1727-5508-1
568-6986-1
568-6986-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 140W(Tc) I2PAK
型号:
STB21NM50N-1
仓库库存编号:
497-5727-ND
别名:497-5727
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD60NF55LT4
仓库库存编号:
497-15669-1-ND
别名:497-15669-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ960EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ960EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ960EL-T1_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16N50U
仓库库存编号:
STF16N50U-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N120
仓库库存编号:
IXFH6N120-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N120
仓库库存编号:
IXTH6N120-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT6N120
仓库库存编号:
IXTT6N120-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC90N04S53R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC90N04S53R6ATMA1-ND
别名:SP001418114
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 18A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB21NM50N
仓库库存编号:
497-5783-1-ND
别名:497-5783-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF21NM50N
仓库库存编号:
497-4803-5-ND
别名:497-4803-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW21NM50N
仓库库存编号:
497-4806-5-ND
别名:497-4806-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP21NM50N
仓库库存编号:
497-4820-5-ND
别名:497-4820-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 18A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM18N25-165-E3
仓库库存编号:
SUM18N25-165-E3CT-ND
别名:SUM18N25-165-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 17A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD17N25-165-E3
仓库库存编号:
SUD17N25-165-E3CT-ND
别名:SUD17N25-165-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2-22
仓库库存编号:
SPD30N08S2-22-ND
别名:SP000013153
SPD30N08S222T
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V,
含铅
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