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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7341TRPBF
仓库库存编号:
IRF7341PBFCT-ND
别名:*IRF7341TRPBF
IRF7341PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR4105ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZPBFCT
IRFR4105ZPBFCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105ZPBF
仓库库存编号:
IRFU4105ZPBF-ND
别名:*IRFU4105ZPBF
SP001552434
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ120N20TL
仓库库存编号:
RCJ120N20TLCT-ND
别名:RCJ120N20TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 53W(Tc) TO-220FM
型号:
R6011KNX
仓库库存编号:
R6011KNX-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 124W(Tc) TO-263
型号:
R6011KNJTL
仓库库存编号:
R6011KNJTLCT-ND
别名:R6011KNJTLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7343TRPBF
仓库库存编号:
IRF7343PBFCT-ND
别名:*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7343QTR
仓库库存编号:
AUIRF7343QCT-ND
别名:AUIRF7343QCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),28A(Tc) 3.5W(Ta),56W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B75NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B75NLT3G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),28A(Tc) 3.5W(Ta),56W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B75NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B75NLT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),28A(Tc) 3.5W(Ta),56W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B75NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B75NLWFT3G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),28A(Tc) 3.5W(Ta),56W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B75NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B75NLWFT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 200V 12A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX120N20
仓库库存编号:
RCX120N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP6N50P
仓库库存编号:
IXTP6N50P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA6N50P
仓库库存编号:
IXTA6N50P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR4105ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR4105ZTRL-ND
别名:SP001517348
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTR
仓库库存编号:
IRFU4105ZTR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTRL
仓库库存编号:
IRFU4105ZTRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTRR
仓库库存编号:
IRFU4105ZTRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 300V 6A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N30
仓库库存编号:
FQPF9N30-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105Z
仓库库存编号:
IRFR4105Z-ND
别名:*IRFR4105Z
SP001571602
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105Z
仓库库存编号:
IRFU4105Z-ND
别名:*IRFU4105Z
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105ZTR
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规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V,
含铅
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IRFR4105ZTRR
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