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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO150N03MD G
仓库库存编号:
BSO150N03MD GCT-ND
别名:BSO150N03MD GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4838
仓库库存编号:
785-1688-1-ND
别名:785-1688-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03MS G
仓库库存编号:
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名:BSZ130N03MSGINCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),88A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288144
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288156
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3302L
仓库库存编号:
IRL3302L-ND
别名:*IRL3302L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4960N-1G
仓库库存编号:
NTD4960N-1GOS-ND
别名:NTD4960N-1GOS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4960N-35G
仓库库存编号:
NTD4960N-35GOS-ND
别名:NTD4960N-35GOS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) DPAK
型号:
NTD4960NT4G
仓库库存编号:
NTD4960NT4GOSCT-ND
别名:NTD4960NT4GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),24A(Tc) 1.95W(Ta),35W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6200L
仓库库存编号:
785-1397-1-ND
别名:785-1397-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7200
仓库库存编号:
785-1374-1-ND
别名:785-1374-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),36A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD200
仓库库存编号:
AOD200-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 12.4A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.4A(Ta),49A(Tc) 2.1W(Ta),93W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1428A
仓库库存编号:
AOL1428A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS330DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS330DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR330DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR330DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR330DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7200L
仓库库存编号:
AON7200L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7200_101
仓库库存编号:
AON7200_101-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7200_102
仓库库存编号:
AON7200_102-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302
仓库库存编号:
IRL3302-ND
别名:*IRL3302
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302S
仓库库存编号:
IRL3302S-ND
别名:*IRL3302S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRL
仓库库存编号:
IRL3302STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRR
仓库库存编号:
IRL3302STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
64-9144
仓库库存编号:
64-9144CT-ND
别名:*IRF6617
IRF6617CT
IRF6617CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302SPBF
仓库库存编号:
IRL3302SPBF-ND
别名:*IRL3302SPBF
SP001552554
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302PBF
仓库库存编号:
IRL3302PBF-ND
别名:*IRL3302PBF
SP001568274
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
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