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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 320mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVNL120GTA
仓库库存编号:
ZVNL120GCT-ND
别名:ZVNL120G
ZVNL120GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 180mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVNL120A
仓库库存编号:
ZVNL120A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2803GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2803GTRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 160mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN0124A
仓库库存编号:
ZVN0124A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 320mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2120GTA
仓库库存编号:
ZVN2120GCT-ND
别名:ZVN2120G
ZVN2120GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2803PBFCT-ND
别名:*IRLML2803TRPBF
IRLML2803PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 160mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0124ASTOA
仓库库存编号:
ZVN0124ASTOA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 160mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0124ASTOB
仓库库存编号:
ZVN0124ASTOB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 160mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0124ASTZ
仓库库存编号:
ZVN0124ASTZ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 160mA(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN0124Z
仓库库存编号:
ZVN0124Z-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 160mA(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0124ZSTOA
仓库库存编号:
ZVN0124ZSTOA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 160mA(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0124ZSTOB
仓库库存编号:
ZVN0124ZSTOB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 160mA(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0124ZSTZ
仓库库存编号:
ZVN0124ZSTZ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN2120A
仓库库存编号:
ZVN2120A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN2120ASTOA
仓库库存编号:
ZVN2120ASTOA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN2120ASTOB
仓库库存编号:
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规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN2120ASTZ
仓库库存编号:
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无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVNL120ASTOA
仓库库存编号:
ZVNL120ASTOA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVNL120ASTOB
仓库库存编号:
ZVNL120ASTOB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVNL120C
仓库库存编号:
ZVNL120C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
无铅
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MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVNL120CSTOA
仓库库存编号:
ZVNL120CSTOA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
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型号:
ZVNL120CSTOB
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MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
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型号:
ZVNL120CSTZ
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MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803TR
仓库库存编号:
IRLML2803CT-ND
别名:*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V,
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