规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),87A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17302Q5A
仓库库存编号:
296-25854-1-ND
别名:296-25854-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4830CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4830CDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.25W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5424DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5424DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5424DC-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5E070BNTCL
仓库库存编号:
RQ5E070BNTCLCT-ND
别名:RQ5E070BNTCLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DI9435T
仓库库存编号:
DI9435CT-ND
别名:DI9435
DI9435CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DI9435T
仓库库存编号:
981-DI9435T-CHP
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4830CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4830CDY-T1-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),27W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0506NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0506NSATMA1CT-ND
别名:BSZ0506NSATMA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA421DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA421DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA421DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.9A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT454P
仓库库存编号:
NDT454PFSCT-ND
别名:NDT454PFSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.25W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5424DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5424DC-T1-E3TR-ND
别名:SI5424DC-T1-E3TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4834CDY-T1-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4834CDY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0589NSATMA1-ND
别名:SP001586396
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS9430A
仓库库存编号:
NDS9430A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4230DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4230DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet?
型号:
IRF6156
仓库库存编号:
IRF6156-ND
别名:*IRF6156
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V,
含铅
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