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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9220TRL
  仓库库存编号：IRFR9220TRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9220TRR
  仓库库存编号：IRFR9220TRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
  
  型号：BSO612CV
  仓库库存编号：BSO612CVINCT-ND
  别名：BSO612CVINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024Z
  仓库库存编号：IRFL024Z-ND
  别名：*IRFL024Z
  SP001551986
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320S E6327
  仓库库存编号：BSP320S E6327-ND
  别名：BSP320SE6327T
  SP000011115
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320S E6433
  仓库库存编号：BSP320S E6433-ND
  别名：BSP320SE6433T
  SP000011116
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320SL6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP320SL6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP320S L6433CT
  BSP320S L6433CT-ND
  BSP320SL6433
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
• 无铅
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